跳过 N2 直上 A16：英伟达 Feynman 据报 2028 下半年量产

称，英伟达下一代 GPU 架构 Feynman 目标于 2028 年下半年量产并发布，直接采用台积电 A16 1.6nm 制程，跳过 N2/2nm 工艺家族。

说，Vera Rubin 进入量产及爬坡期之际，英伟达已提前启动重大迭代，正把研发与供应链资源快速推向"2028 年下半的 Feynman 时代"。该报道全部来自供应链说法，属于规划口径；TweakTown 明确写道，台积电与英伟达都没有确认或回应报道内容。

配套的产能数字同样未获证实：台积电据报已把 SoIC 月产能目标从 2026 年底的 2 万片上修至 2027 年底的 5 万片，并加速嘉义 AP7、南科 AP8 的建置，为 Feynman 的量产时点铺路。

跳过 N2 直上 A16：Feynman 定档 2028 下半年

据 DigiTimes 报道，业界指出 Feynman 平台预计"直上"台积电 2 纳米升级版的 A16 制程。TweakTown 的解读是，英伟达将跳过 N2 或 2nm 工艺家族，直接改用更先进的 A16 1.6nm；相比基于台积电 N3 制程的 Rubin 与 Rubin Ultra，这是一次明显的节点跳变。

A16 的关键增量之一是背面供电（backside power delivery）。称，Feynman 设计将依赖 A16 节点的背面供电技术。英伟达最近一次官方路线图已把 Feynman 排进 2028 年。

量产时点方面，DigiTimes 称 Feynman 平台目标"如期在 2028 年量产"，供应链资源正推向"2028 年下半"；TweakTown 将目标表述为 2028 年下半年量产并发布。

SoIC 3D 堆叠首次上车，良率门槛跟着抬高

TweakTown 称，Feynman 将是英伟达首款采用台积电 SoIC 3D 小芯片（3D chiplets）、背面供电、下一代封装、定制 HBM 与共封装光学（CPO）的架构。

DigiTimes 报道解释了 SoIC 的机制：台积电可把从 SoC 切分出的小芯片重整，支持 Chip-on-Wafer（CoW）与 Wafer-on-Wafer（WoW），透过晶粒垂直堆叠缩短信号传输距离、提高带宽、降低延迟与功耗。

但 3D 堆叠的技术门槛远高于传统封装。供应链指出，SoIC 涉及晶圆表面平坦度、洁净度、对位精度、晶圆薄化及键合良率等制程能力，3D 堆叠一旦其中一层出现缺陷，将影响整体产品良率，并非一般封测厂容易复制。

DigiTimes 同时强调 SoIC 与 CoWoS 并非取代关系：SoIC 负责逻辑、SRAM 及其他功能芯片的垂直整合，CoWoS 及未来 CoPoS 负责逻辑芯片与 HBM 的水平整合，两者结合后形成 2.5D 与 3D 并存的系统级封装（SiP）架构。

TechPowerUp 补充了封装细节：SoIC 3D 堆叠的小芯片将再以 CoWoS-L 或 CoPoS 并排封装，构成多千瓦级设计，可处理数十 PetaFLOPS 算力。

定制 HBM 预计与伙伴合作开发，量产时点可能落在 HBM4E，其专用基底晶粒可承载存储器控制器、封包处理单元等逻辑。

铜线逼近极限，Feynman 的 NVLink 冲过 1 PB/s

CPO 被推上台前，是因为 NVLink 带宽的增速逼近铜互连的物理极限。据 DigiTimes 引述的供应链数据，英伟达从 Blackwell、Rubin、Rubin Ultra 到 Feynman 持续提高 NVLink 互连带宽：Blackwell NVL72 机柜总带宽约 130 TB/s，Rubin 提高至 260 TB/s，Rubin Ultra 进一步提高至 520 TB/s，Feynman 时代则可望突破 1,000 TB/s，跨入 1 PB/s 等级。

当 AI 集群从数十、数百颗 GPU 扩大至上千颗 GPU，GPU 之间必须交换的数据量同步暴增。传统铜互连在传输距离、功耗、信号衰减及散热方面的限制逐渐浮现，光互连成为大型 AI 系统持续扩充的重要选项。

面对 CPO 需求，台积电推进 COUPE 技术：透过 SoIC 将电子集成电路（EIC）与光子集成电路（PIC）进行 3D 整合，再形成光引擎，把光电转换从传统电路板或外部模块推进封装架构内。TweakTown 称，CPO 可能把带宽推向每秒 PB 级；TechPowerUp 则表示，在 GPU 之间引入光互连，是为了降低铜连接带来的延迟与功耗。

AP7/AP8 抢进度，SoIC 月产能目标上修至 5 万片

量产时点很大程度上取决于台积电的扩产速度。DigiTimes 报道称，台积电先进封装扩产过去集中在竹南 AP6、台中 AP5，2026 年延伸至嘉义 AP7 及南科 AP8；除既有 CoWoS 扩产外，SoIC、CoPoS、CPO 同步展开。

台积电目前"抢进度"建厂：土建、厂务、无尘室、设备进机全面压缩时间。报道提到，包括英伟达在内的美系客户营收比重已逾七成，对先进技术产能需求续强，台积电扩产压力随之升高。

具体建置进度：南科 AP8 规划 P1 至 P3 厂，以 CoWoS 为主；嘉义 AP7 共规划 8 个 Phase，P1、P2 已进入装机，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持续规划。AP7 的 P1 原规划主要量产苹果（Apple）专用 WMCM，P2 以 SoIC 为主、也可能切出 CPO 及 CoWoS 相关产线，P3 之后将依客户需求配置 SoIC、CoPoS 等。

SoIC 是产能规划里上调最猛的一项。台积电 SoIC 月产能 2023 年以来持续增加，原规划 2026 年建立约 1 万至 1.5 万片月产能、2026 年底达 2 万片；受英伟达、超微（AMD）需求及 Feynman 量产时程推动，最新规划进一步上修，预计 2027 年底月产能将达 5 万片。

TweakTown 称，台积电的目标是在 2027 年底达到 5 万片，为 Feynman 在 2028 年下半年到来铺路。

台积电接不完的订单，外溢到矽品二林

即便全力扩产，台积电也接不下全部需求。DigiTimes 报道称，台积电扩产无法完全满足客户需求，加上客户对自身未来风险的考量与供应链调整策略，订单外溢比重大增；目前矽品为承接英伟达订单的主力，除 CoWoS 外，在二林大举扩产，主要因应 CoWoS、CPO 需求。

Feynman 的量产准备还叠着英伟达在供给与资金两端的布局。据 DigiTimes，2026 年以来英伟达已投入逾 400 亿美元布局 AI 生态系，投资对象涵盖 OpenAI、Intel、CoreWeave、Marvell、Lumentum、Coherent 等，横跨 AI 模型、晶圆制造、云端数据中心与光通讯。

近日英伟达又与 Apollo、BlackRock、Blackstone、Brookfield、Goldman Sachs 及 KKR 策略合作，打造 AI 基建融资平台，目标调动超过 5,000 亿美元第三方资本，协助客户采购 GPU 及兴建数据中心。

供应链称 Feynman 平台目标如期在 2028 年量产；对台积电而言，这是 A16、SoIC、CoWoS-L、CoPoS 及 CPO 多项技术从研发、验证到量产部署逐步串接的关键阶段，相关设备、材料供应链"雨露均沾"。

在英伟达和台积电开口证实之前，这一切仍是规划口径——SoIC 月产能能否在 2027 年底兑现 5 万片，是 Feynman 能否按计划在 2028 年下半年登场的第一道检验。