三星芯片利润暴增 250 倍，放话内存短缺 2027 年才到最坏时刻

TL;DR：三星电子 7 月 30 日发布 Q2 财报，芯片部门利润同比暴增逾 250 倍至 89.2 万亿韩元（617 亿美元），但公司同时发出迄今最严厉的警告——内存短缺将在 2027 年进一步恶化，并延续至 2028 年。SK 海力士 CEO 郭鲁正更直言 2027 年将是行业"最惨的一年"，短缺可能烧到 2030 年。HBM 高带宽内存每 GB 消耗三倍于标准 DRAM 的晶圆产能，这场短缺不是周期，是物理学。

一个季度，赚了过去三年的钱

三星电子 7 月 30 日公布的 Q2 财报，数字大到不像话。芯片事业部当季营业利润 89.2 万亿韩元（约 617 亿美元），同比暴增超过 250 倍。公司整体营业利润 89.5 万亿韩元——这个数字超过了三星过去三年的利润总和。

营收同步飙升 130% 至 171.5 万亿韩元（约 1190 亿美元），同样是历史纪录。推动这一切的引擎只有一个：AI 驱动的内存芯片需求。DRAM 平均售价环比跳涨超过 40%，NAND 闪存涨幅更达 60% 以上，而库存水平被描述为"显著偏低"。

但投资人的反应比数字更诚实。三星股价盘中一度大涨 8%，收盘反而下跌 0.7-1.1%。市场听懂了财报里藏着的另一句话。

从 4.68 万亿到 89.5 万亿，只隔了十二个月

放在一年前，三星的内存业务还在低谷。2025 年 Q2，公司整体营业利润仅 4.68 万亿韩元，芯片部门贡献微薄。翻到今天，单单芯片业务一个季度的利润就碾压了过去三个财年的总和。

这一轮暴涨的驱动力不是全面复苏。三星内存业务执行副总裁金在俊（Kim Jaejune）在分析师电话会上说得很清楚：agentic AI 叠加模型训练的算力需求，正在引发 AI 服务器和计算基础设施需求的"史无前例上升"。

TrendForce 的数据进一步勾勒出价格曲线：DRAM 合约价 Q1 环比跳升 90-95%，Q2 再涨 58-63%。Bloomberg 报道内存现货价过去一年累计上涨近 700%。这已不是"涨价周期"，而是一轮由 AI 数据中心需求主导的供给危机。

硬币的另一面是三星手机事业部。同样是 Q2，移动部门录得 7000 亿韩元亏损，首次陷入赤字。eToro 分析师 Josh Gilbert 的评价一针见血："让三星一边富起来的芯片，正在杀死它的另一边。"

今后三年的货，现在不签合同就拿不到

金在俊在电话会上披露了一套前所未有的供应管控机制。三星已与全球前五大数据中心客户签署了多年供应协议，另有五家大客户处于最终谈判阶段。这些合同是滚动五年制、每年重新谈判——预计覆盖三星 DRAM 和 NAND 总产能的 60% 到 70%。

合同里还有两个关键条款：客户必须支付大额预付款（约四分之一已到账），主流产品附带最低价格保护。换句话说，想要内存，先交钱，再锁价，而且一签就是五年。

金在俊解释说，从晶圆厂动工到产出晶圆，周期超过三年。"我们认为，到 2028 年之前不太可能看到任何显著的供给增量。"2027 年的供给约束将比 2026 年更加严重，因为今年未满足的需求会滚入下一年。

这意味着什么？三星约 60-70% 的产能已被锁定给 AI 数据中心，留给手机、PC、汽车制造商的产能只剩下三成左右。

三星手机亏了 7000 亿韩元，凶手是自家芯片

手机部门 Q2 亏损 7000 亿韩元是三星财报里最具讽刺意味的数字。制造内存的三星半导体赚了 617 亿美元，购买内存的三星手机却因为芯片太贵做不起生意了。

这不只是三星内部的左右手互搏。HP 披露，内存成本已从占一台笔记本物料清单的 15-18% 飙升至约 35%。Dell 被摩根士丹利下调评级，理由正是服务器内存成本承压。联想、华硕、宏碁均已警告 2026 年产品将涨价 15-20%，部分分析师预测可能高达 30%。

汽车行业更惨。S&P Global Mobility 预计 2026 年车用 DRAM 价格将涨 70-100%，新订单交货期已拉长到 58 周以上。本田已因芯片短缺削减北美产量 11 万辆。

NH Investment & Securities 高级分析师 Ryu Young-ho 将这次财报电话会评价为"相当长一段时间以来最让人安心的电话会之一"。这恰好暴露了市场的分裂——对持有三星股票的投资者安心，对需要买内存的采购部门则是噩梦。

涨 557% 还不够，市场到底在担心什么？

三星的对手 SK 海力士在同一天提交了自己的答卷。Q2 营收 546 亿美元，同比增长 257%；营业利润 416 亿美元，飙升 557%；营业利润率冲到 76%。这些数字放在任何一季都堪称炸裂——但市场预期更高，股价反而下跌。

SK 海力士 CEO 郭鲁正（Kwak Noh-jung）给出了比三星更激进的预测：2027 年将是整个行业历史上"最差的一年"（worst year），内存供应短缺可能持续到 2030 年。SK 集团会长崔泰源此前已表态：需求将超过供给至少到 2030 年。

SK 海力士 2026 年 HBM、DRAM 和 NAND 产能已基本售罄，公司计划将 2026 年资本开支提高约 50% 至 310 亿美元。但新产能从开工到量产同样需要数年。

两家韩国内存巨头罕见地在同一天发出同一方向的警告，这背后有一个物理原因：HBM 芯片每 GB 消耗的晶圆面积是标准 DRAM 的约三倍。每把一寸产能转向 HBM，常规 DRAM 市场就少一寸供给——两个市场同时陷入短缺，不存在"东墙补西墙"的选项。

野村证券最新预测更激进：DRAM 市场到 2030 年营收可能突破 2 万亿美元。TrendForce 分析师吴雅婷将当前周期称为行业史上"最疯狂的时期"。

这是物理规律决定的结构性短缺，不是周期

把三星这份财报放到更大的图景里，有三件事在同时发生。

第一，需求端变了。AI 训练和推理需要的不是"多一点内存"，是成倍的内存。每个 Nvidia Vera Rubin 平台需要搭配海量 HBM4，而 agentic AI 的 token 处理正在拉动 DDR5 和 LPDDR5 的独立需求——内存需求结构已经从"PC 换机周期驱动"变为"AI 基础设施持续建设驱动"。

第二，供给侧卡死了。新晶圆厂从破土到量产至少三年。Micron 的 Boise 工厂推到 2027 年中，纽约工厂要到 2030 年。SK 海力士的印第安纳封装厂 2028 年下半年才能量产，而且做的是 HBM4E/HBM5 先进封装，不是消费级 DRAM。英特尔 CEO 陈立武（Lip-Bu Tan）在 6 月说过一句话："2028 年之前没有缓解。"

第三，定价机制重写了。三星用预付款、底价保护、五年滚动合同把内存从周期性商品变成了类基础设施产能预订。买方从"货比三家"变成了"不签就拿不到"。内存行业三十年来的 boom-bust 定律——产能扩张、价格暴跌、亏损减产、供给紧缩、价格上涨——这一轮可能不再适用。

这不是涨价周期，是 AI 时代给全球半导体供应链的第一道物理约束。2027 年只会更紧。

参考来源：

Reuters:
The Register:
Bloomberg:
The Business Times:
Tom's Hardware:
TechStoriess:
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