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FMS 2026 定调：AI 内存进入结构性超周期，三星 400 层 BV-NAND、英伟达 Storage-Next、Marvell 光子结构全线亮剑
TL;DR：8 月 4 日，FMS 2026 在圣克拉拉开幕当天，三星、英伟达、Marvell、SK 海力士和 SanDisk 在同一会场投下四枚重磅炸弹——三星 V10 BV-NAND 突破 400 层、英伟达开源 cuFile 并拉拢 40+ 厂商成立 Storage-Next、Marvell 发布光子共享内存架构、SK 海力士联手 SanDisk 推出首个 HBF 开放标准。同一天，三星确认内存短缺将延续到 2028 年，2027 年将是史上最严重的一年。SOX 指数当日暴涨 6.55%，Marvell 涨 12.81%，ARM 涨 17.36%。FMS 2026 的开幕日，AI 内存产业从"追赶需求"切入了"重写规则"。
2027 年的 DRAM 和 HBM，今天全部卖完了
FMS 2026 第一天最惊人的数据不在任何一家公司的发布会上，而在三星 Q2 财报电话会的一句附注里：长期供应协议（LTA）将覆盖公司 60% 到 70% 的内存产能。三星已与五大全球数据中心客户签署长约，另有五家大型 AI 客户正在谈判尾声。
这意味着什么？三星全球 DRAM 市场份额 39%——如果它把三分之二的产能锁进了多年长约，剩下的三分之一要供应所有手机厂商、PC OEM、企业存储买家和消费电子厂商。
供应链上正在发生的事，Leopold Stock Tracker（@LeopoldATracker，AI 基础设施投资社区意见领袖，7.4 万粉丝）用一段对话体推文点透了——这条推文在 12 小时内斩获 178,609 次浏览、1,066 个喜欢和 99 次转发：
"SK 海力士、美光、三星 2027 年的 DRAM/HBM 产能已经卖完了？" "是的，Dave。" "SanDisk、三星、美光当前的年度 NAND 产能也已经卖完了？" "没错。" "客户只能拿到申请量的 60% 到 70%？" "对的。" "业内人说 2027 年可能是史上最严重的内存短缺？" "完全正确。" "最终出货价格甚至还没定？" "是的。" "而散户交易员认为 AI 基建已经见顶？" "是的，Dave。"
Citi 分析师在 7 月的一份报告中补充了一个关键数据：DRAM 和 NAND 全链条库存"远低于历史水平"。这不是需求放缓的迹象——是供应根本追不上。
一天四场发布，AI 内存版图被重画了四次
FMS 2026 的开幕日不像是行业展会，更像是一场产业路线的分水岭。四家 Tier-1 厂商各自选了一条完全不同的技术路线，但它们指向同一个结论：AI 推理对内存的需求已经超出了现有架构的能力边界，渐进式改良不再够用。
第一条线——三星：用晶圆键合拆解 NAND 制造瓶颈，同时把 HBM 搬到 AI 芯片头顶。V10 BV-NAND 把存储单元阵列和外围电路分别做在两片晶圆上再键合。存储单元用高温工艺做到 400 层以上，逻辑电路用最优制程，互不拖累。密度比 V9 提升 58%。zHBM 则取消硅中介层，把 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器 die 上方，数据路径从水平变成垂直，目标性能是 HBM5 的 10 倍密度、3 倍能效，热阻减半。
第二条线——英伟达：把 GPU 直接存储访问的能力开源，然后拉上 40 多家厂商订标准。cuFile 是 GPUDirect Storage 的组件，让 GPU 不通过 CPU 直接读写存储，延迟压缩到微秒级。新倡议 Storage-Next 的初始维护者包括 Google、Intel、Meta 和英伟达，联盟成员覆盖 DDN、Kioxia、Micron。Vera CPU 在压缩加密管道中的吞吐量达到 x86 的 3.21 倍。
第三条线——Marvell：从服务器级 SSD 控制器一路铺到机架级 CXL 内存池化，再到 pod 级光子共享内存。Bravera SC6 PCIe 6.0 SSD 控制器性能翻倍，Q4 开始送样；Structera X 把 CXL 内存扩展和池化做到机架级；Photonic Fabric 则用光纤在 50 米范围内搭建共享内存池，最高承载 32TB warm KV cache，声称在同功耗下将 token 吞吐量提升 2 到 3 倍。
第四条线——SK 海力士 + SanDisk：在 HBM 和 SSD 之间硬塞进一个新内存层。HBF（High Bandwidth Flash）规范通过 OCP 发布，容量最高 512GB，带宽分三档从 0.4TB/s 到 3.0TB/s，采用 UCIe 标准接口。Google 和 Tenstorrent 已作为联盟成员参与验证。SK 海力士同时展示了 V10 375 层 4D NAND，每瓦性能较前代提升 2.5 倍。
四条线的共同逻辑：把数据搬到离计算更近的地方。三星是物理堆叠，英伟达是直接访问，Marvell 是光子互联，SK 海力士是在中间新开一层。
三星把 NAND 拆成两片来做，然后把 HBM 搬到芯片头顶
V10 BV-NAND：为什么 400 层是一道坎
传统 COP（Cell-on-Peripheral）架构把 NAND 存储单元堆在控制电路上方的同一片晶圆上。推到 300 层以上时，存储单元的高温蚀刻会烧坏下方的外围晶体管。这是物理极限，不是工程取舍。
三星 V10 BV-NAND 的解法简单但昂贵：把存储单元阵列做在一片晶圆上，外围电路做在另一片上，各自用最优工艺，做完再键合在一起。存储单元晶圆可以放心堆到 400 层以上，逻辑晶圆可以用先进制程。结果是密度较 V9 提升约 58%，读写和 I/O 性能同步改善。
这不是三星独有的路线。Kioxia 的 BiCS10 同样使用晶圆键合（称为 CBA，CMOS-Bonded-to-Array），但层数停在 332 层。三星的 400+ 层在密度上领先了一个身位。三星 CTO Song Jae-hyuk 今年 2 月在 SEMICON Korea 已透露了更远的路线图：通过"multi-BV"架构——键合四片晶圆——目标是 2030 年前做出 1000 层 NAND。
zHBM：取消硅中介层之后，谁受益最大
从 HBM1 到 HBM5，所有 HBM 都把内存堆叠放在 AI 加速器旁边，靠硅中介层上的微米级铜线做水平数据传输。这个架构的瓶颈不是带宽，是中介层本身。TSMC 的 CoWoS 先进封装产能是 AI 供应链里最紧张的一环，交期超过 12 个月。
三星 zHBM 直接把 HBM 堆到 AI 加速器 die 上面，TSV 垂直贯通，数据路径从水平变成垂直。三星副总裁 Leno Park 在 FMS 媒体简报会上给出目标数字：zHBM 实现 HBM5 的 8 倍性能、3 倍能效、热阻改善 50%。
但 zHBM 不是产品，它是概念模型，没有商业时间表。一个 AI 加速器 die 紧贴着 HBM 堆叠产生的热环境，目前没有任何封装技术能在商业规模上解决。Park 在简报会上也坦承了这一点："我们正在讨论如何在 2030 年之前支持每秒 1000 token。"
zHBM 真正的冲击不在技术数字。如果它成功了，硅中介层就不再是必需品。TSMC CoWoS 的供需紧张、先进封装的地缘政治风险，整个 AI 芯片封装的产业逻辑都会改写。
英伟达不再只卖 GPU：它要定义存储怎么跟 GPU 说话
英伟达在 FMS 上的动作表面上是开源 cuFile，实质上是在定义 AI 时代存储系统的软件层标准。
cuFile 让 GPU 可以直接从 NVMe SSD 读写数据，绕过 CPU，延迟压到微秒级。这背后是 GPUDirect Storage 的架构思路：当 AI agent 以数千并发访问存储时，CPU 成为瓶颈。GPU 自己发起的存储请求更快，而且不占 CPU 资源。
开源不是目的，是手段。cuFile 被放在一个公开仓库里，初始维护者包括 Google、Intel、Meta 和英伟达。四家公司恰好覆盖了 AI 计算和云基础设施的全栈。接着英伟达宣布 Storage-Next，拉入 40 多家存储和闪存厂商，包括 DDN、Kioxia、Micron，承诺将 GPU 驱动存储的行为模式转化为开放的互操作行业标准。
配套的 SCADA（Scaled, Accelerated Data Access）框架让 GPU 从存储中只抓取应用需要的那部分数据，而非全部加载。DDN 已经将 SCADA 集成到 Infinia 平台，CTO Sven Oehme 的表述很有指向性："AI 的成功不取决于拥有多少基础设施，而取决于用得多高效。"
英伟达还在推 STX（Scalable AI Data Platform），基于 Vera Rubin 平台和 BlueField-4 存储处理器，以及 CMX Context Memory Storage——一个专为长上下文、多轮 agentic AI 推理设计的上下文存储层。
整件事的逻辑很清楚：英伟达不希望 GPU 被存储拖慢，所以它要把存储层的标准也握在手里。
Marvell 铺了一张从 SSD 到光纤的网
Marvell 在 FMS 上的发布是唯一一个从芯片级到 pod 级全覆盖的方案。
服务器级——Bravera SC6 PCIe 6.0 SSD 控制器。性能是前代 Bravera SC5 的两倍，支持多家 NAND 供应商，让云厂商在存储采购上有更大的议价空间。目标是让更多 KV cache 从昂贵的 HBM 迁移到 SSD，降低推理成本。Q4 2026 开始送样。
机架级——Structera X。基于 CXL 的内存扩展和池化方案，与头部超大规模客户联合开发。核心逻辑是让内存独立于计算扩展。模型更大、上下文更长、KV cache 膨胀时，不必按比例增加 GPU 数量。
Pod 级——Photonic Fabric。光互联内存模块、NIC 和 chiplet 构成一个跨越 50 米、多机架的光学共享内存架构。最高 32TB 的 warm KV cache 在集群内共享，token 吞吐量在同功耗同空间内提升 2 到 3 倍。
Marvell 执行副总裁 Will Chu 的说法直指核心："AI 基础设施正在从孤立服务器走向计算、内存、连接无缝协作的系统。内存必须独立于计算扩展，资源才能部署到价值最高的地方。"
650 Group 分析师 Alan Weckel 的评价为这条路线提供了第三方背书："随着 AI 工作负载越来越大、越来越复杂，内存容量、带宽、延迟和数据移动正在成为 AI 性能的首要约束。"
HBF：SK 海力士和 SanDisk 想在 HBM 和 SSD 之间再开一层
在 AI 推理系统里，HBM 快但贵且容量小，SSD 容量大但慢。HBF 的目标是填这个坑。
HBF 规范定义了一个新内存层：用 NAND 技术做到接近 HBM 的速度、远大于 HBM 的容量。单栈最高 512GB，带宽三档可调，从 0.4TB/s 到 3.0TB/s。连接接口采用 UCIe 开放标准，意味着 HBF 可以与不同厂商的 GPU 和 CPU 灵活集成。
时间线值得注意：SK 海力士和 SanDisk 在 2025 年 8 月宣布合作，2026 年 2 月启动联盟。仅六个月后，就在 FMS 上通过 OCP 发布了完整的公开技术规范。Google 和 Tenstorrent 以联盟成员身份参与了技术验证，使这个标准在一开始就带有超大规模和 AI 芯片两个方向的背书。
SanDisk CTO Alper Ilkbahar 在新闻稿中将 HBF 定位为 token 经济学的优化工具："AI 推理正在创造一组新的内存需求，HBF 就是为这一刻设计的。"
SK 海力士的布局不止 HBF。展台上首次公开了正在开发中的 V10 375 层 4D NAND 晶圆，每瓦性能是前代的 2.5 倍。公司计划明年初启动基于该 NAND 的高性能 eSSD 量产。执行副总裁 Kim Chun-sung 在开幕主题演讲中提出了"Tiered Memory"框架，将 HBM、DRAM、CXL 混合内存、HBF、SSD 串联成一个统一的内存层级。TrendForce 援引 SK 海力士的测试数据称，该架构较传统设计将 AI 推理效率提升了 35.7%。
HBF 面对的最大质疑不是技术，是它和 HBM 抢同一个中介层空间。Austin Lyons（Semi Doped 分析师）在当天的简报中指出了这个矛盾：HBF 和 HBM 都需要硅中介层上的位置，而中介层本身就是瓶颈。但他同时提了一个有趣的解法。如果 SK 海力士正在测试 Intel 的 EMIB-T，而 Google（HBF 联盟成员）据传已向 Intel 预订了 TPU 封装产能，那么 HBF 可能不需要和 HBM 争夺 TSMC 的 CoWoS。
60% 的产能被锁进长约，剩下的人分什么
三星在上周 Q2 财报中披露的另一个数字，可能比 FMS 上任何技术参数对产业的影响都大：长期供应协议覆盖 60% 到 70% 的产能。
这不是一个抽象的比例。三星的 DS（Device Solutions）半导体部门刚创下历史最高的 89.2 万亿韩元（约 625 亿美元）季度利润。与此同时，自家的 Galaxy 手机部门录得首次运营亏损，亏了 7000 亿韩元（约 4.9 亿美元）。原因很简单：AI 数据中心把内存产能和定价一起吸走了，连三星自己的手机部门都抢不到足够的 DRAM 和 NAND。
这解释了为什么日经亚洲报道 HP、华硕和宏碁已经开始在消费 PC 中使用合肥长鑫（CXMT）的 DRAM。不是技术选择，是别无选择。也解释了为什么 The Elec 的 7 月市场数据显示，大宗 DRAM 和 NAND 现货价格双双创下历史新高。供应链紧张正在从 HBM 向外扩散。
Goldman Sachs 在 8 月 3 日的报告中将三星列为半导体板块首选，估计三星 DRAM 运营利润率接近 80%，NAND 运营利润率超过 60%。Counterpoint Research 的 Q2 数据显示三星整体 DRAM 市场份额 39%，为两年来最高。尽管在 HBM 细分市场仍落后于 SK 海力士。
Shay Boloor（@StockSavvyShay，Futurum Equities 首席市场策略师，43.8 万粉丝）在 FMS 开幕前一天的推文抓住了 Marvell 和 Credo 的双线逻辑。Marvell 推 PCIe 6.0、CXL 和光子互联，Credo 则瞄准"比 HBM4 设计高 25 倍的内存密度"。这条推文获得了 97,708 次浏览和 814 个喜欢。
2028 年之前，这个超周期不会结束
FMS 2026 传递的最清晰信号不是任何一款产品的参数，是所有玩家都在为同一个判断买单：AI 内存短缺是结构性的，不是周期性的。
三星说 2027 年将是史上最严重的短缺。美光说短缺将持续到 2027 年以后，2028 到 2030 年才可能随新产能释放恢复平衡。SK 海力士和 SanDisk 的联合声明中写得更直白："供应缺口在扩大，而非缩小。"
三条技术路线同时面临的矛盾也是一致的。三星的晶圆键合需要全新产线，英伟达的 Storage-Next 需要生态迁移，Marvell 的光子结构需要数据中心重新布线，HBF 还在等硅中介层产能松绑。没有任何一条路线能在 18 个月内大规模落地。
这意味着今天的短缺不会因为一场发布会而消失。恰恰相反，FMS 2026 上展示的所有方案都在说同一件事：等到新架构量产，至少是 2028 年。
市场已经在定价这个判断。SOX 指数单日涨 6.55%，Marvell 涨 12.81%，ARM 涨 17.36%。但 LeopoldATracker 推文末尾的那句反问值得所有投资者记住。这些公司连 2027 年的新增客户需求都接不住。如果这叫泡沫，那泡沫的定义需要重写。
FMS 2026 于 8 月 4 日至 6 日在加州圣克拉拉会议中心举行。
参考来源
- — Samsung Newsroom
- — NVIDIA Blog, Aug 4, 2026
- — Marvell Press Release, Aug 4, 2026
- — SK hynix Newsroom, Aug 4, 2026
- — Sandisk Press Release, Aug 3, 2026
- — Reuters, Aug 4, 2026
- — TechTimes, Aug 4, 2026
- — Blocks & Files, Aug 4, 2026
- — Semi Doped, Aug 4, 2026
- — TrendForce, Jul 30, 2026
- — 178,609 views, Aug 4, 2026
- — 97,708 views, Aug 3, 2026
- — 23,996 views, Aug 4, 2026